Sa bag-ohay nga mga tuig, uban sa pag-uswag sa integrated circuit (IC) nga teknolohiya, ang mga may kalabutan nga aplikasyon sa integrated circuits paspas nga naugmad.Ang ultra high purity aluminum alloy sputtering target, isip supporting material sa paggama sa integrated circuit metal interconnects, nahimong init nga hilisgutan sa bag-o nga domestic research.ang editor sa RSM magpakita kanato sa mga kinaiya sa taas nga kaputli aluminum subong sputtering target.
Aron sa dugang nga pagpalambo sa sputtering efficiency sa magnetron sputtering target ug sa pagsiguro sa kalidad sa gideposito nga mga pelikula, ang usa ka dako nga gidaghanon sa mga eksperimento nagpakita nga adunay mga piho nga mga kinahanglanon alang sa komposisyon, microstructure ug grain orientation sa ultra-high purity aluminum subong sputtering target.
Ang gidak-on sa lugas ug oryentasyon sa lugas sa target adunay dako nga impluwensya sa pag-andam ug mga kabtangan sa mga pelikula sa IC.Ang mga resulta nagpakita nga ang deposition rate mikunhod uban sa pagtaas sa gidak-on sa lugas;Alang sa sputtering target nga adunay parehas nga komposisyon, ang sputtering rate sa target nga adunay gamay nga gidak-on sa lugas mas paspas kaysa sa target nga adunay dako nga gidak-on sa lugas;Ang labi ka pare-pareho ang gidak-on sa lugas sa target, labi nga managsama ang gibag-on nga pag-apod-apod sa mga nadeposito nga pelikula.
Ubos sa parehas nga sputtering instrument ug mga parameter sa proseso, ang sputtering rate sa Al Cu alloy nga target nagdugang sa pagtaas sa atomic density, apan kasagaran kini lig-on sa usa ka range.Ang epekto sa gidak-on sa lugas sa sputtering rate tungod sa pagbag-o sa atomic density sa pagbag-o sa gidak-on sa lugas;Ang deposition rate nag-una nga apektado sa grain orientation sa Al Cu alloy target.Pinasukad sa pagsiguro sa proporsyon sa (200) nga kristal nga mga eroplano, ang pagtaas sa proporsyon sa (111), (220) ug (311) nga kristal nga mga eroplano magpataas sa rate sa pagdeposito.
Ang gidak-on sa lugas ug oryentasyon sa lugas sa ultra-high purity nga aluminum alloy nga mga target kasagaran gi-adjust ug kontrolado sa ingot homogenization, init nga pagtrabaho ug recrystallization annealing.Uban sa pag-uswag sa gidak-on sa wafer ngadto sa 20.32cm (8in) ug 30.48cm (12in), ang target nga gidak-on nagkadako usab, nga nagbutang sa unahan sa mas taas nga mga kinahanglanon alang sa ultra-high purity aluminum alloy sputtering target.Aron masiguro ang kalidad sa pelikula ug abot, ang target nga mga parameter sa pagproseso kinahanglan nga hugot nga kontrolon aron mahimo ang target nga microstructure nga uniporme ug ang orientasyon sa lugas kinahanglan adunay lig-on nga (200) ug (220) nga mga texture sa eroplano.
Oras sa pag-post: Hun-30-2022