Giant Electro-Optical Effect sa Ge/SiGe Coupled Quantum Wells

Ang mga photonic nga nakabase sa Silicon sa pagkakaron giisip nga sunod nga henerasyon nga plataporma sa photonics alang sa mga naka-embed nga komunikasyon.Bisan pa, ang pag-uswag sa compact ug low power optical modulators nagpabilin nga usa ka hagit.Dinhi among gitaho ang usa ka higante nga electro-optical nga epekto sa Ge / SiGe nga giubanan sa mga atabay sa quantum.Kini nga promisa nga epekto gibase sa anomalous nga quantum Stark nga epekto tungod sa bulag nga pagkakulong sa mga electron ug mga lungag sa gidugtong nga Ge / SiGe quantum wells.Kini nga panghitabo mahimong magamit sa kamahinungdanon sa pagpalambo sa performance sa kahayag modulators itandi sa standard nga mga pamaagi nga naugmad sa halayo sa silicon photonics.Gisukod namon ang mga pagbag-o sa refractive index hangtod sa 2.3 × 10-3 sa bias nga boltahe sa 1.5 V nga adunay katugbang nga modulasyon nga kahusayan VπLπ nga 0.046 Vcm.Kini nga demonstrasyon naghatag dalan alang sa pagpalambo sa episyente nga high-speed phase modulators base sa Ge/SiGe material systems.