Ang Magnetron sputtering coating usa ka bag-ong physical vapor coating nga pamaagi, kon itandi sa naunang evaporation coating method, ang mga bentaha niini sa daghang aspeto talagsaon kaayo.Ingon usa ka hamtong nga teknolohiya, ang magnetron sputtering gigamit sa daghang natad.
Prinsipyo sa Magnetron sputtering:
Ang usa ka orthogonal magnetic field ug electric field gidugang taliwala sa sputtered target pole (cathode) ug sa anode, ug ang gikinahanglan nga inert gas (kasagaran Ar gas) napuno sa taas nga vacuum chamber.Ang permanente nga magnet nagporma usa ka 250-350 gaus magnetic field sa ibabaw sa target nga materyal, ug ang orthogonal electromagnetic field gilangkuban sa taas nga boltahe nga electric field.Ubos sa epekto sa electric field, Ar gas ionization ngadto sa positibo nga mga ion ug mga electron, target ug adunay pipila ka negatibo nga pressure, gikan sa target gikan sa poste pinaagi sa epekto sa magnetic field ug ang working gas ionization kalagmitan nga pagtaas, maporma ang usa ka taas nga density sa plasma duol sa cathode, Ar ion ubos sa aksyon sa lorentz nga pwersa, pagpadali sa paglupad ngadto sa target nga nawong, pagpamomba sa target nga nawong sa usa ka taas nga speed, Ang sputtered atomo sa target mosunod sa prinsipyo sa momentum pagkakabig ug molupad gikan sa target nawong uban sa taas nga kinetic kusog sa substrate deposition film.
Magnetron sputtering kasagaran gibahin ngadto sa duha ka matang: DC sputtering ug RF sputtering.Ang prinsipyo sa DC sputtering ekipo yano, ug ang rate mao ang paspas sa diha nga sputtering metal.Ang paggamit sa RF sputtering mas kaylap, dugang sa sputtering conductive nga mga materyales, apan usab sputtering non-conductive nga mga materyales, apan usab reaktibo sputtering pag-andam sa oxides, nitride ug carbide ug uban pang mga compound nga materyales.Kung ang kasubsob sa RF nagdugang, kini mahimong microwave plasma sputtering.Sa pagkakaron, ang electron cyclotron resonance (ECR) type nga microwave plasma sputtering sagad gigamit.
Magnetron sputtering coating target nga materyal:
Metal sputtering target nga materyal, coating alloy sputtering coating material, ceramic sputtering coating material, boride ceramic sputtering target nga materyales, carbide ceramic sputtering target nga materyal, fluoride ceramic sputtering target nga materyal, nitride ceramic sputtering target nga materyales, oxide ceramic target, selenide ceramic nga materyal, sputtering nga materyal silicide ceramic sputtering target nga mga materyales, sulfide ceramic sputtering target nga materyal, Telluride ceramic sputtering target, uban pang ceramic target, chromium-doped silicon oxide ceramic target (CR-SiO), indium phosphide target (InP), lead arsenide target (PbAs), indium arsenide target (InAs).
Oras sa pag-post: Ago-03-2022